Jäger-Waldau, Gerold: Analyse physikalischer Eigenschaften trockenätzinduzierter Defekte in Silizium mit Rasterelektronen- und Rasterkraftmikroskopie

/ vorgelegt von Gerold Jäger-Waldau. - 1. Aufl. - Konstanz : Hartung-Gorre, 1994. - 130 S. : Ill., graph. Darst.; 21 cm - (Konstanzer Dissertationen; Bd. 430)

ISBN 978-3-89191-804-3 / 3-89191-804-6 kart. : DM 78.00, sfr 81.00, S 566.00

Quelle: DNB

Perevoščikov, Viktor A.: Gettering defects in semiconductors

/ V. A. Perevostchikov ; V. D. Skoupov. [Transl.: Victor Gloumov]. - Berlin : Springer, 2005. - XV, 386 S. : Ill., graph. Darst.; 24 cm - (Advanced microelectronics; 19)

ISBN 978-3-540-26244-2 / 3-540-26244-X Pp. : EUR 139.05 (freier Pr.), sfr 220.00 (freier Pr.)

Literaturverz. S. 343 - 366

Quelle: DNB Verlagsmeldungen

Pearton, Stephen J.: Hydrogen in crystalline semiconductors

/ Stephen J. Pearton ; James W. Corbett ; Michael Stavola. [Guest ed.: Hans-Joachim Queisser]. - Berlin : Springer, 1992. - XI, 363 S. : graph. Darst.; 24 cm - (Springer series in materials science; 16)

ISBN 978-3-540-53923-0 / 3-540-53923-9 Pp. : DM 79.00

Quelle: DNB

Spaeth, Johann-Martin: Point defects in semiconductors and insolators

: determination of atomic and electronic structure from paramagnetic hyperfine interactions / J.-M. Spaeth ; H. Overhof. - Berlin : Springer, 2003. - XI, 490 S. : graph. Darst.; 24 cm - (Springer series in materials science; 51)

ISBN 978-3-540-42695-0 / 3-540-42695-7 Pp. : EUR 106.95

Literaturverz. S. 467 - 484

Quelle: DNB

Spaeth, Johann-Martin: Structural analysis of point defects in solids

: an introduction to multiple magnetic resonance spectroscopy / Johann-Martin Spaeth ; Jürgen R. Niklas ; Ralph H. Bertram. - Berlin : Springer, 1992. - XI, 367 S. : graph. Darst.; 25 cm - (Springer series in solid-state sciences; 43)

ISBN 978-3-540-53615-4 / 3-540-53615-9 Pp. : DM 98.00

Literaturverz. S. 341 - 355

Quelle: DNB