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Schlagwort Gate-Oxid
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High-k gate dielectrics for CMOS technology
/ ed. by Gang He and Zhaoqi Sun. - Weinheim : Wiley-VCH-Verl., 2012. - XXXI, 558 S. : Ill., graph. Darst.; 25 cm
ISBN 978-3-527-33032-4 / 3-527-33032-1 Pp. : EUR 159.00 (DE) (freier Pr.)
Literaturangaben
Quelle: DNB Verlagsmeldungen
Reiner, Joachim C.: Latent gate oxide damage induced by ultra-fast electrostatic discharge
/ Joachim C. Reiner. - 1. Aufl. - Konstanz : Hartung-Gorre, 1995. - IV, 171 S. : Ill., graph. Darst.; 21 cm - (Series in microelectronics; Vol. 51)
ISBN 978-3-89191-983-5 / 3-89191-983-2 kart. : DM 88.00, sfr 88.00, S 650.00
Quelle: DNB
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