Zeitler, Ulrich: Electronic transport in three-dimensional and two-dimensional metallic semiconductors under extreme quantum conditions
/ vorgelegt von Ulrich Zeitler. - 1. Aufl. - Konstanz : Hartung-Gorre, 1994. - IV, 129 S. : graph. Darst.; 21 cm - (Konstanzer Dissertationen; Bd. 441)
ISBN 978-3-89191-832-6 / 3-89191-832-1 kart. : DM 88.00, sfr 91.00, S 623.00
Quelle: DNB
Panish, Morton B.: Gas source molecular beam epitaxy
: growth and properties of phosphorus containing III - V heterostructures / M. B. Panish ; H. Temkin. - Berlin : Springer, 1993. - XIV, 428 S. : Ill., graph. Darst.; 24 cm - (Springer series in materials science; 26)
ISBN 978-3-540-56540-6 / 3-540-56540-X Pp. : DM 98.00
Literaturverz. S. 399 - 421
Quelle: DNB
Beneking, Heinz: Halbleiter-Technologie
: eine Einführung in die Prozesstechnik von Silizium und III-V-Verbindungen / von Heinz Beneking. - Stuttgart : Teubner, 1991. - IX, 812 S. : graph. Darst.; 23 cm
ISBN 978-3-519-06133-5 / 3-519-06133-3 Pp. : DM 98.00
Literaturangaben
Quelle: DNB
Superconductor, semiconductor junctions
/ by Thomas Schäpers. - Berlin : Springer, 2001. - Online-Ressource - (Springer tracts in modern physics; Vol. 174)
ISBN 978-3-540-45525-7
Lizenzpflichtig
Quelle: DNB
Schäpers, Thomas: Superconductor, semiconductor junctions
/ Thomas Schäpers. - Berlin : Springer, 2001. - IX, 145 S. : Ill., graph. Darst.; 24 cm - (Springer tracts in modern physics; Vol. 174)
ISBN 3-540-42220-X Pp. : DM 160.39
Literaturverz. S. 135 - 142
Quelle: DNB
Rosenauer, Andreas: TEM-Untersuchung von epitaktischen Grenzflächen in II-VI/III-V-Heterostrukturen
/ Andreas Rosenauer. - Regensburg : Roderer, 1996. - IV, 138 S. : Ill., graph. Darst.; 22 cm - (Theorie und Forschung; Bd. 414 : Physik ; Bd. 8)
ISBN 978-3-89073-894-9 / 3-89073-894-X kart. : DM 58.00, sfr 58.00, S 406.00
Quelle: DNB
