Jäger-Waldau, Gerold: Analyse physikalischer Eigenschaften trockenätzinduzierter Defekte in Silizium mit Rasterelektronen- und Rasterkraftmikroskopie

/ vorgelegt von Gerold Jäger-Waldau. - 1. Aufl. - Konstanz : Hartung-Gorre, 1994. - 130 S. : Ill., graph. Darst.; 21 cm - (Konstanzer Dissertationen; Bd. 430)

ISBN 978-3-89191-804-3 / 3-89191-804-6 kart. : DM 78.00, sfr 81.00, S 566.00

Quelle: DNB

Reisinger, Johann: Charakterisierung von Defekten in Silizium nach Bestrahlung mit leichten Ionen

/ Johann Reisinger. - Wien : VWGÖ, 1993. - 119 S. : graph. Darst.; 21 cm - (Dissertationen der Johannes-Kepler-Universität Linz; 103)

ISBN 978-3-85369-921-8 / 3-85369-921-9 kart. : DM 24.00, sfr 21.50, S 156.00

Quelle: DNB

Xu, Yang: Graphene for post-Moore silicon optoelectronics

/ Yang Xu, Khurram Shehzad, Srikrishna Chanakya Bodepudi, Ali Imran, and Bin Yu. - Weinheim, Germany : WILEY-VCH, 2023. - xii, 180 Seiten : Illustrationen; 25 cm, 528 g

ISBN 978-3-527-35181-7 / 3-527-35181-7 Festeinband : circa EUR 139.00 (DE) (freier Preis), circa EUR 142.90 (AT) (freier Preis)

Quelle: DNB

Rein, Stefan: Lifetime spectroscopy

: a method of defect characterization in silicon for photovoltaic applications / S. Rein. - Berlin : Springer, 2005. - XXVI, 489 S. : graph. Darst.; 24 cm - (Springer series in materials science; 85)

ISBN 978-3-540-25303-7 / 3-540-25303-3 Pp. : EUR 149.75 (freier Pr.), sfr 237.00 (freier Pr.)

Literaturangaben

Quelle: DNB Verlagsmeldungen