Habekotté, Ernst: Intelligente Leistungsschnittstellen auf Silizium
/ Ernst Habekotté ; Eberhard Salten. - Berlin : vde-Verl., 1992. - 101 S. : graph. Darst.; 21 cm
ISBN 978-3-8007-1684-5 / 3-8007-1684-4 kart. : DM 28.00
Literaturangaben
Quelle: DNB
Schulze, Jörg: Konzepte Silizium-basierter MOS-Bauelemente
: mit 29 Tabellen / Jörg Schulze. - Berlin : Springer, 2005. - XVIII, 428 S. : Ill., graph. Darst.; 24 cm - (Halbleiter-Elektronik; Bd. 23)
ISBN 978-3-540-23437-1 / 3-540-23437-3 Pp. : ca. EUR 79.95, ca. sfr 132.00
Literaturverz. S. 409 - 428
Quelle: DNB Verlagsmeldungen
Nitride semiconductor technology
: power electronics and optoelectronic devices / edited by Fabrizio Roccaforte and Mike Leszczynski. - Weinheim : Wiley-VCH, 2020. - XV, 445 Seiten : Illustrationen; 25 cm, 1042 g
ISBN 978-3-527-34710-0 / 3-527-34710-0 Festeinband : circa EUR 159.00 (DE) (freier Preis)
Quelle: DNB
Bonani, Fabrizio: Noise in semiconductor devices
: modeling and simulation / Fabrizio Bonani ; Giovanni Ghione. - Berlin : Springer, 2001. - XXXI, 213 S. : graph. Darst.; 24 cm - (Advanced microelectronics; 7)
ISBN 978-3-540-66583-0 / 3-540-66583-8 Pp. : DM 160.39
Literaturverz. S. 201 - 208
Quelle: DNB
Paul, Reinhold: Optoelektronische Halbleiterbauelemente
/ von Reinhold Paul. - 2., überarb. und erw. Aufl. - Stuttgart : Teubner, 1992. - 473 S. : graph. Darst.; 19 cm - (Teubner-Studienskripten; 96 : Physik)
ISBN 978-3-519-10096-6 / 3-519-10096-7 kart. : DM 27.80
Literaturverz. S. 461 - 469
Quelle: DNB
Physics and technology of semiconductor quantum devices
: proceedings of the international school, held in Mesagne (Brindisi), Italy 21 - 26 September 1992 / K. H. Ploog ; L. Tapfer (ed.). - Berlin : Springer, 1993. - 212 S. : Ill., graph. Darst.; 24 cm - (Lecture notes in physics; Vol. 419)
ISBN 978-3-540-56989-3 / 3-540-56989-8 Pp. : DM 82.00
Literaturangaben
Quelle: DNB
Thuselt, Frank: Physik der Halbleiterbauelemente
: einführendes Lehrbuch für Ingenieure und Physiker / Frank Thuselt. - Berlin : Springer, 2005. - XV, 385 S. : Ill., graph. Darst.; 24 cm - (Springer-Lehrbuch)
ISBN 978-3-540-22316-0 / 3-540-22316-9 Pp. : EUR 49.95, sfr 85.00
Literaturverz. S. 351 - 354
Quelle: DNB
Sze, S. M.: Physik der Halbleiterbauelemente
/ Simon M. Sze, Yiming Li und Kwok K. Ng ; übersetzt von Jürgen Smoliner. - Weinheim, Germany : Wiley-VCH, 2022. - XXI, 887 Seiten : Illustrationen; 29 cm, 2734 g
ISBN 978-3-527-41389-8 / 3-527-41389-8 Festeinband : circa EUR 99.00 (DE)
Quelle: DNB
Proceedings of the 4th International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes
: held at the Federal Institut of Technology, Zurich, Switzerland, on September 12 - 14, 1991 / Integrated Systems Laboratory, Federal Institut of Technology, Zürich, Switzerland. Ed. by: Wolfgang Fichtner ; Dölf Aemmer. - 1. ed. - Konstanz : Hartung-Gorre, 1991. - XII, 584 S. : Ill., graph. Darst.; 30 cm - (Simulation of semiconductor devices and processes; Vol. 4)
ISBN 978-3-89191-476-2 / 3-89191-476-8 kart. : DM 72.00, sfr 60.00
Literaturangaben
Quelle: DNB
Claeys, Cor L.: Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices
/ C. Claeys ; E. Simoen. - Berlin : Springer, 2002. - XXII, 401 S. : graph. Darst.; 24 cm - (Springer series in materials science; 57)
ISBN 978-3-540-43393-4 / 3-540-43393-7 Pp. : EUR 85.55
Literaturverz. S. 351 - 401
Quelle: DNB
